2026年5月8日下午，雅安市汉源县委书记胡雪松，名山区委副书记、区长邓旭，汉源县委常委、统战部部长马忠强，名山区经信局局长陈文彬，名山区投促中心主任秦晓伟，汉源县投促中心副主任徐卓越，西南铜业董事长苏金生，西南铜业生产技术总监张代强一行莅临我司调研考察。

2026年6月17日下午，卡塔尔王室代表与新加坡、香港合伙人一行莅临我司考察访问。双方围绕铜基石墨烯复合材料技术协同、全球市场开拓及产业应用等议题展开深入交流，共同探索新材料领域国际合作新机遇。

近日，美国亚利桑那州立大学Wonmo Kang团队在《Small》期刊上发表研究论文，系统揭示了石墨烯/铜（Cu-Gr）复合材料超高导电性的内在机制。研究团队通

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所于庆凯团队、时志远团队与中国科学院上海硅酸盐研究所曾毅团队合作，通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备石墨

近日，上海交通大学材料科学与工程学院的研究团队与厦门大学能源学院的合作团队共同研究，采用石墨烯/铜（Gr/Cu）复合材料，利用重离子辐照技术探索不同界面特征对界

2026年4月，大连理工大学王同敏教授、张宇博副教授团队在国际权威期刊《Materials Characterization》上发表了一篇题为“Superior strength and conductivity in graphene/Cu composites via heterogeneous laminates with multi-scale parallel interfaces”的研究论文。在该论文中，团队通过轧制与退火工艺，在铜基复合材料中构建了由粗晶Cu层和细晶Cu-RGO层交替堆叠构成的非均质层状结构。该复合材料在仅含0.67 vol% RGO的情况下，同时具备了约600 MPa的极限抗拉强度、96.5% IACS的高导电率以及9.6%的均匀延伸率，成功突破了传统铜基材料中强度与导电性相互制约的长期瓶颈，为高性能导电复合材料的设计与制备开辟了新路径

2026年2月，上海交通大学张荻教授、熊定邦教授团队在国际顶级期刊《Nature Communications》上发表题为“Enhancing electrical conductivity by defects in metals”的研究论文。该团队颠覆传统思路，提出“缺陷工程反向调控电导率”新策略：通过异质界面辅助塑性变形，在铜中构建大量晶格严重畸变的缺陷结构，将传统意义上的“缺陷”转化为导电通道，成功在室温下实现了超过110% IACS的块体电导率，同时兼具高强、高热稳定性（773 K下性能无明显衰减），突破了铜基材料百年来“高纯度、高完整性才能获得高导电性”的传统认知，为高性能金属导体开发提供了全新范式。

哈尔滨工业大学王黎东、盛捷研究团队采用自蔓延高温合成（SHS）制备钨掺杂石墨烯（W-Gr），通过熔炼法成功制备 W-Gr/Cu 复合材料，显著改善界面润湿性与密度适配性：W-Gr与熔融铜的接触角降低至80.4°，W-Gr的密度增加至9.5 g/cm³。含有13 at%和18 at%钨的W-Gr片层（13W-Gr和18W-Gr）均匀分散在铜基体中。热力学分析表明，当W-Gr表面WC的面积分数超过45.8%时，W-Gr可在熔融铜中自发分散。13W-Gr/Cu在铸态下极限抗拉强度（UTS）达到152 MPa，冷轧后达到449 MPa；20°C下电导率达到100.4% IACS，180°C下比纯铜高1.5%。该工作克服了熔炼工艺制备Gr/Cu复合材料的技术壁垒，为工业化大规模生产提供可行路径。

上海交通大学张荻院士、李赞副教授联合西安交通大学马恩教授团队依托激光粉床熔融增材制造（L-PBF），通过原位纳米破碎与熔体淬火工艺，在铜基体中实现了平均粒径约47 nm、体积分数最高达12%的非晶碳化硼纳米颗粒的致密、均匀分散。所制备的Cu-12%-ANP复合材料抗拉强度＞1000 MPa、总伸长率≈9.7%，塑性为同组分晶态颗粒强化试样（CNP）的 2 倍；材料疲劳极限＞70% 抗拉强度（＞107循环周次），展现出卓越的综合性能。

随着柔性电子、可穿戴设备、新能源系统等领域的快速发展，对高性能、能低温加工、耐腐蚀的导电材料提出了迫切需求。铜因其优异的导电性和热导性成为理想选择，但其在空气中极易氧化和腐蚀，严重限制了其长期可靠性。传统保护策略多依赖高温或复杂工艺，难以与柔性基板兼容。因此，开发一种能在低温下同时实现高导电性、强耐腐蚀性和良好加工性的铜基材料，成为当前研究的关键挑战。 2026年，由美国马里兰大学任申强教授、胡良兵教授、劳伦斯伯克利国家实验室郑海梅教授等团队联合在国际顶级期刊《Science》上发表题为“A molecular pathway to corrosion-resistant printable copper”的研究论文。该团队提出了一种基于铜-有机基质（CuOM）的分子反应策略，通过在低于150°C的条件下还原铜前驱体，并在铜表面原位形成超薄碳质和亚铜（Cu(I)）钝化层，成功实现了兼具低电阻率、优异耐腐蚀性和低温加工性的可印刷铜材料。

随着5G通信、新能源汽车、大功率LED及航空航天电子系统的快速发展，芯片热通量持续攀升，传统铜基均热材料已逼近散热极限。金刚石/Cu复合材料因金刚石本征热导率高达~2000 W·m-1·K-1，被视为下一代高功率热管理核心材料，但其应用长期受两大瓶颈制约：一是界面润性差，金刚石与铜化学亲和性弱，界面结合薄弱；二是声阻抗失配严重，导致界面热边界电阻极高，大量热量无法高效从金刚石传递至铜基体，严重拉低复合材料整体导热性能。传统解决方案通常引入钛、铬、钼等碳化物形成元素构建过渡层，但普遍存在“厚层高阻、薄层不连续”的权衡困境：厚碳化物层虽能增强结合，却因自身热导率低引入额外热阻；薄层则易破裂、覆盖不全，无法保障界面稳定性。因此，如何在不过度增厚过渡层的前提下，同时实现连续界面结合与低热阻，是金刚石/Cu复合材料走向实用的关键难题。

随着第五代移动通信（5G）、高速轨道交通及大功率电子器件对热管理材料和导电材料性能要求的持续攀升，铜基复合材料的发展面临严峻挑战。在集成电路引线框架、高速铁路接触线及新能源汽车电连接器等关键应用中，材料不仅需要接近纯铜的导电与导热性能，还需兼具更高的强度与可靠性。